ISSN: 2376-130X
Mahmood Bahar, Hamideh Eskandari und Naghi Shaban
Die Anwendung von porösem Silizium (PSi) für Gassensoren hat im letzten Jahrzehnt beträchtlich an Aufmerksamkeit gewonnen. Diese Arbeit beschäftigt sich mit den elektrischen Eigenschaften von PSi-Schichten, die durch elektrochemisches Ätzen hergestellt werden. Wir stellen fest, dass man, um die Absorptionseigenschaften von PSi-Oberflächen besser zu verstehen, wissen muss, wie die PSi-Morphologie von den Ätzparametern abhängt. Die physikalische Struktur von PSi, d. h. Porosität und Porengrößenverteilung, lässt sich durch Veränderung der Flusssäurekonzentration, Stromdichte, Anodisierungsdauer und Ätzzeit im Anodisierungsverfahren steuern. Wir beschreiben unser Testsystem für Gassensoren und untersuchen das elektrische Verhalten von PSi-Schichten (p-Typ) in N2-Gas unter verschiedenen Herstellungsbedingungen. Die Ergebnisse zeigen, dass die Stromdichte bei der Adsorption von N2-Gas deutlich zunimmt. Die Messungen der IV-Kennlinien wurden bei atmosphärischem Druck, Raumtemperatur sowie mit N2-Gas durchgeführt.