Zeitschrift für Physikalische Chemie und Biophysik

Zeitschrift für Physikalische Chemie und Biophysik
Offener Zugang

ISSN: 2161-0398

Abstrakt

Im mittleren Infrarot-Spektralbereich arbeitende InAs/GaSb-Übergitter-Photodioden

Christol P, Delmas M, Rossignol R und Rodriguez JB

InAs/GaSb-Übergitter (SL) sind ein vielversprechendes Materialsystem für hochleistungsfähige Infrarotdetektoren. Die elektrischen und optischen Eigenschaften werden direkt von der Zusammensetzung und Periodizität der InAs/GaSb-Zelle bestimmt. Insbesondere können mehrere Strukturen mit unterschiedlichen Dickenverhältnissen von InAs zu GaSb in jeder SL-Periode auf dieselbe Grenzwellenlänge abzielen und unterschiedliche Leitfähigkeitstypen aufweisen, n-Typ oder p-Typ. Folglich ist es durch die Verwendung spezifischer SL-Perioden möglich, eine mittelwellige Infrarot-Pin-Fotodiode zu entwickeln, ohne die Struktur absichtlich zu dotieren. Es werden elektrische und elektrooptische Charakterisierungen eines solchen durch Molekularstrahlepitaxie hergestellten Geräts berichtet.

Haftungsausschluss: Diese Zusammenfassung wurde mithilfe von Tools der künstlichen Intelligenz übersetzt und wurde noch nicht überprüft oder verifiziert.
Top