Journal of Theoretical & Computational Science
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Abstrakt

Prinzipielle Untersuchung der strukturellen, elektronischen und chemischen Eigenschaften von Sn-dotiertem PbX (X=S, Se, Te)

Asghar Khan M, Zulfiqar Ali Shah, Jabran Khan, Yasir Arafat, Sikandar Hayat und Munawar Saeed

Die strukturellen, elektronischen und chemischen Bindungen des mit Sn dotierten PbX (X=S, Se, Te) werden mit der Methode der vollständig potentiallinearisierten erweiterten ebenen Welle (FP-LAPW) in der Dichtefunktionaltheorie (DFT) berechnet. Die verallgemeinerte Gradientennäherung von Wu und Cohen (WC-GGA) wird zur Berechnung der Austauschkorrelationseffekte verwendet. Die strukturellen Parameter ändern sich mit der Dotierung. Die Berechnungen zeigen, dass die Bandlücke mit zunehmender Sn-Konzentration abnimmt. Es wurde beobachtet, dass die s-, p- und d-Zustände von PbX (X=S, Se, Te) deren elektronische Eigenschaften steuern. Die Legierungen Pb1–xSnxS, Pb1–xSnxSe und Pb1–xSnxTe weisen eine kovalente Bindungsnatur auf, die sich mit zunehmender Sn-Konzentration verstärkt.